特許

J-GLOBAL ID：200903047931928602

X線露光装置、X線露光方法、X線マスク、X線ミラー、シンクロトロン放射装置、シンクロトロン放射方法および半導体装置

発明者： 糸賀 賢二 ,  北山 豊樹 ,  渡辺 豊 ,  鵜沢 俊一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149621
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338299
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 従来よりも短波長領域のX線を用いることにより、高い解像度の回路パターンを転写することができ、かつ、高いスループットを実現することが可能なX線露光装置、X線露光方法、X線マスク、X線ミラー、シンクロトロン放射装置、シンクロトロン放射方法および半導体装置を提供する。【解決手段】 X線露光装置は、X線について0.45nm未満の波長領域および0.7nm超えの波長領域の少なくともいずれか一方においてのみ吸収端を有する材料を含むX線ミラー3を備える。

請求項（抜粋）：

X線について0.45nm未満の波長領域および0.7nm超えの波長領域の少なくともいずれか一方においてのみ吸収端を有する材料を含むX線ミラーを備える、X線露光装置。

IPC (3件)：

G21K 5/02 ,  G21K 1/06 ,  H05H 13/04

FI (3件)：

G21K 5/02 X ,  G21K 1/06 C ,  H05H 13/04 U

Fターム (5件)：

2G085AA13 ,  2G085BA20 ,  2G085DB02 ,  2G085DB10 ,  2G085EA01