特許

J-GLOBAL ID：200903047932088284

炭素ナノチューブ製造用触媒の製造方法

発明者： 韓 仁 澤 ,  金 夏 辰
出願人/特許権者： 三星エスディアイ株式会社
代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-180590
公開番号（公開出願番号）：特開2006-007213
出願日： 2005年06月21日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】炭素ナノチューブ成長の基になる触媒微粒子を基板上にさらに均一に形成させることができる新しい方法と、均一度が向上したCNTの合成方法とを提供する。【解決手段】触媒金属前駆体の溶液を基板上に塗布するステップと、基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥するステップと、前記凍結乾燥された触媒金属前駆体を触媒金属に還元させるステップとを含む触媒微粒子の形成方法であり、該触媒微粒子の形成方法は、触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥することにより、触媒微粒子の形成過程での触媒微粒子の凝集及び/または再結晶を最小化させることができる。これにより、触媒微粒子は、非常に均一な粒子サイズを有し、また基板上に非常に均一に分布する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

触媒金属前駆体の溶液を基板上に塗布するステップと、 前記基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥するステップと、 前記凍結乾燥した触媒金属前駆体を触媒金属に還元させるステップとを含む、炭素ナノチューブ成長の基になる触媒微粒子の製造方法。

IPC (3件)：

B01J 37/32 ,  C01B 31/02 ,  B01J 23/745

FI (3件)：

B01J37/32 ,  C01B31/02 101F ,  B01J23/74 301M

Fターム (46件)：

4G146AA11 ,  4G146AB01 ,  4G146AD05 ,  4G146AD23 ,  4G146AD24 ,  4G146AD29 ,  4G146AD35 ,  4G146BA08 ,  4G146BB22 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC44 ,  4G146BC48 ,  4G146CB11 ,  4G169AA02 ,  4G169AA05 ,  4G169AA08 ,  4G169BA27A ,  4G169BA27B ,  4G169BA27C ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BC31A ,  4G169BC40A ,  4G169BC50A ,  4G169BC54A ,  4G169BC59A ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC66C ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC75A ,  4G169BE08B ,  4G169BE08C ,  4G169CB81 ,  4G169EA01Y ,  4G169FA03 ,  4G169FB23 ,  4G169FB40 ,  4G169FB44 ,  4G169FB57 ,  4G169FB78 ,  4G169FC02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 大韓民国公開特許2001-0049398号公報