特許
J-GLOBAL ID：200903047932669104
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-161618
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013386
出願日： 1991年07月02日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】本発明は、ドライエッチング処理や感光性樹脂の灰化処理のときに半導体基板に与える金属汚染を除去する半導体装置の製造方法に関し、製造工程中に半導体基板に混入する金属汚染を効果的に除去することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】ドライエッチング処理により半導体基板10の表面を露出するドライエッチング工程と、約400°C以上に加熱する高温熱処理工程とを有し、少なくとも一つのpn接合を有する半導体装置の製造方法において、ドライエッチング工程と高温熱処理工程の間に、塩素原子を含むガスを用いて露出した半導体基板10の表面を洗浄するドライ洗浄工程を設けるように構成する。
請求項（抜粋）：
ドライエッチング処理により半導体基板の表面を露出するドライエッチング工程と、約400°C以上に加熱する高温熱処理工程とを有し、少なくとも一つのpn接合を有する半導体装置の製造方法において、前記ドライエッチング工程と前記高温熱処理工程の間に、塩素原子を含むガスを用いて露出した前記半導体基板の表面を洗浄するドライ洗浄工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/304 341
