特許

J-GLOBAL ID：200903047942526310

エピタキシャル成長方法および装置

発明者： リチャード メルヴィン ラム
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147893
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176482
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 サセプタに熱的に異方性の材料を使用することにより、エピタキシャル成長層の均一性を向上させる。【構成】 従来のエピタキシャル成長反応器内の加熱されたサセプタ上に配置されたウェーハは、その半径に関して対称に温度変化を示し、回転のみでは除去されない。本発明によると、熱的に異方性のサセプタの高伝導率の表面に、ウェーハ17を熱的に結合させることによって、観測された半径方向の温度変化を実質的に除去することが可能であり、それによって成長したエピタキシャル層の均一性が向上する。本実施例において、ウェーハ17は、加熱されたサセプタブロック12の中央部分に位置する熱分解グラファイトからなる回転可能なサセプタディスク20と、熱的に接触して配置される。

請求項（抜粋）：

反応室と、反応室内のウェーハを加熱するための手段と、ウェーハ上にエピタキシャル成長をもたらすための前記ウェーハ上に反応体ガスを流す手段からなるエピタキシャル成長装置において、表面上は比較的高い熱伝導率を有し、表面の横断方向において比較的低い熱伝導率を有する熱的に異方性の材料の物体を含み、前記高熱伝導率表面を有する物体が、前記ウェーハの主表面に熱的に結合されることを特徴とするエピタキシャル成長装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-120812
  
• 特開平3-108323
  
• 特開昭62-101021
  
• 特開昭57-039528