半導体装置、半導体レーザ素子の製造方法及びレーザダイオードモジュール

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140022
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316570
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】新規な構造のガイド溝を形成して正確な劈開によって得られた歩留まりの高い機械的な強度の高い半導体レーザ素子を提供する。【構成】半導体レーザ素子を構成する活性層2毎に分離するためのガイド溝11と前記活性層の両側には1対の溝部10が形成されている。前記ガイド溝の半導体基板1の主面からの深さと幅の2倍の比が1.0以上であり、前記溝部の前記主面からの深さと幅の比は、前記ガイド溝の深さと幅の比より小さい。ウェーハをバー状に加工した後、個々の素子に分離する際、素子の数だけの傷をスクライバやカミソリ等で入れる必要がなく、工程を大幅に短縮することができる。また、傷を入れるときに発生するウェーハの切り屑が、素子の接合面に付着し、リーク電流が多くなることもなく、歩留まりが高くなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板主面の表面領域に形成された複数の電流を注入するストライプ状活性層と、前記半導体基板主面の前記活性層間に形成され、前記半導体基板を分離するためのガイド溝とを具備し、前記ガイド溝の前記半導体基板主面からの深さdと幅2wの比(d/2w)が1.0以上であることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ装置素子基板、及び半導体レーザ装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-061534 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-206678
特開平3-206678

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