特許

J-GLOBAL ID：200903047946828558

感光性樹脂膜パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 康彦 ,  池田 隆洋 ,  大西 廉伸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061447
公開番号（公開出願番号）：特開平9-258451
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 良好な形状のレジストパターンを形成する方法を提供すること。【解決手段】 被加工物上に有機膜及び感光性樹脂膜を順次形成する工程、前記感光性樹脂膜に対して選択的に露光する工程、及び選択的に露光された感光性樹脂膜を現像し、感光性樹脂膜パタ-ンを形成する工程を具備し、前記有機膜は、前記露光によりラジカルが生成する、励起される、又は酸性又は塩基性の分解物が発生する第1の物質と、前記ラジカルに対してラジカル捕捉剤として作用する、前記第1の物質に対して消光剤として作用する、又は前記酸性又は塩基性の分解物を中和する第2の物質を含有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被加工物上に有機膜及び感光性樹脂膜を順次形成する工程、前記感光性樹脂膜に対して選択的に露光する工程、及び選択的に露光された感光性樹脂膜を現像し、感光性樹脂膜パタ-ンを形成する工程を具備し、前記有機膜は、前記露光によりラジカルが生成する第1の物質と、前記ラジカルに対してラジカル捕捉剤として作用する第2の物質を含有することを特徴とする感光性樹脂膜パタ-ンの形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 574