半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-298335
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144586
出願日： 1996年11月11日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】本発明は、傾いたり、倒れたりすることなく微細なレジストパターンを形成し、素子の微細化に対応し得る加工技術を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、被加工物上に化学増幅型レジストのパターンを形成する際、レジストと被加工物の海面にレジスト不溶化層を形成する事を特徴とする。

請求項（抜粋）：

被加工物と、前記被加工物上に形成され、所定の形状にパターニングされたレジストとを備え、所定の形状にパターニングされた前記レジストは、現像液に浸すことにより除去された部分の底部にレジストが残存しており、前記被加工物が露出しないように加工されている事を特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/004 503 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601

FI (5件)：

H01L 21/30 563 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 568

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