特許
J-GLOBAL ID：200903047967619266
半導体装置の動作方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060625
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275790
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【構成】4つの入力電極41,42,43,44への入力電圧によってチャネル領域23の電位が変調されるほか、フローティングゲート25内の蓄積電荷の有無によってもチャネル領域23の電位が変調される。たとえば、5つの入力信号S1,S2,S3,S4,S5を処理する際に、まず、第5の信号S5に対応するように、フローティングゲート25の電荷蓄積状態が制御される。そして、第1〜第4の信号S1〜S4に対応した入力電圧が入力電極41〜44にそれぞれ印加される。このときに、ソース・ドレイン間が導通するかどうかが、情報検出部33によって検出される。【効果】4つの入力電極41,42,43,44を備えた構成で、5つの入力信号S1〜S5を処理できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成されたソース領域と、上記半導体基板に形成されたドレイン領域と、上記半導体基板のソース領域とドレイン領域との間の領域であるチャネル領域と、上記チャネル領域上に設けられ、入力電圧がそれぞれ与えられる複数の入力電極を含むゲートと、上記チャネル領域とゲートとの間に設けられ、上記チャネル領域の電位を異なる値に変調する2種類以上の状態をとることができ、各状態を保持することができる電位変調用膜とを備えた半導体装置を動作させる方法であって、上記電位変調用膜の状態をいずれかの状態に設定する工程と、その後に、上記複数の入力電極に入力電圧を供給する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の動作方法。
IPC (3件)：
H01L 27/10 451
, H01L 29/788
, H01L 29/792
