半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-223207
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203276
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】高集積メモリと複数の演算回路を1チップ化した半導体装置において、メモリと演算回路間のデータ転送効率を向上する。【構成】データを保持しておくメモリセルアレイ10とデータを受取り演算を行う複数の演算回路40に加え、メモリセルCijのデータを演算回路へ送るリードパスR1〜Rpと演算回路からメモリセルへデータを送るライトパスW1〜Wpとを別々に持つ複数のデータ転送回路30を、半導体チップ90上に集積する。【効果】リードパスとライトパスを別々に有することにより、データの読み出しと書込みを同時に行えるので、高速な画像データ処理ができる。一旦立ち上げたワード線上にあるメモリセル内のデータ処理を順次行うことにより、ワード線の立ち上げ回数を減らして消費電力を低減できる。

請求項（抜粋）：

複数のデータ線と複数のワード線の交差部に配置された複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、該メモリセルアレイ内の異なる複数のメモリセルに記憶されている情報をワード線に交差する異なる複数のデータ線に読み出すためにワード線の少なくとも1本を選択するデコーダと、少なくとも1つの演算回路と、該演算回路とメモリセルアレイとの間のデータ転送を行なうデータ転送回路と、少なくともデータ転送回路とデコーダと演算回路を制御する制御回路とを1チップに集積した半導体装置において、前記データ転送回路が、前記デコーダにより選択されたワード線と交差する複数のデータ線の内の一部のデータ線への書き込みと他の一部のデータ線からの読み出しとを少なくとも一部同一時間内に行なうことができるように、リードパスとライトパスをそれぞれ独立して有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

G11C 11/41 , G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 K , G11C 11/34 371 H

引用特許：

審査官引用 (6件)

ビデオ表示用メモリ集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-020708 出願人：日本電気株式会社
特開平2-078091
特開平3-003195

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