特許
J-GLOBAL ID：200903047974330930
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-164831
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074245
出願日： 1993年07月02日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 誘電率が低く、かつ吸湿性の低いF添加SiO2 膜を提供する。【構成】 半導体装置を構成する配線を電気的に隔離する絶縁膜を形成する方法であって、少なくともシリコン、酸素、フッ素を含有する原料ガスを用い、イオンエネルギーE(eV)とガス圧力P(Torr)との関係がP≧5×10-4、P≦10-1×10-E/45を満たし、イオンエネルギーE(eV)とプラズマ密度D(/cm3 )との関係がD≧2×1011×10-E/45 (ただし、10≦E≦100)を満たす条件で、プラズマCVD法により、フッ素を含むシリコン酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置を構成する配線を電気的に隔離する絶縁膜を形成する方法であって、フッ素を構成元素として含む有機シランガスを用いたプラズマCVD法により、フッ素を含むシリコン酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, C23C 16/40
, H01L 21/31
, H01L 21/316
H01L 21/90 P
, H01L 21/31 C
