特許
J-GLOBAL ID：200903047974413860
半導体レーザとその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229068
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086690
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 共振器面積の縮小化をはかり、低動作電流、低しきい値電流化をはかるとともに、確実かつ容易に量産的製造を可能にする。【構成】{100}結晶面を主面とする第1導電型の化合物半導体基体1上に、<011>結晶軸方向に沿って形成されたリッジ2上にそれぞれ{111}B結晶面より成る相対向する対の斜面3A及び3Bにより挟まれて形成された断面ほぼ台形の少なくとも第1導電型の第1のクラッド層11と、活性層10と、第2導電型の第2のクラッド層12とを有する半導体レーザ部4を構成し、上記{111}B結晶面を共振器の反射面及び光出射端面とする。
請求項（抜粋）：
100結晶面を主面とする第1導電型の化合物半導体基体上に、011結晶軸方向に沿って形成されたリッジと、該リッジ上にそれぞれ111B結晶面より成る相対向する対の斜面により挟まれて形成された断面ほぼ台形の半導体レーザ部とを有し、該半導体レーザ部は、少なくとも第1導電型の第1のクラッド層と、活性層と、第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記相対向する斜面の111B結晶面間にレーザ共振器が構成されて上記111B結晶面を光出射端面として成り、上記リッジの両側の凹部に形成された半導体部は上記活性層の上記111B結晶面による端面位置より下方に位置して成ることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
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