特許

J-GLOBAL ID：200903047976175419

液相堆積を用いた半導体装置における材料層の形成方法

発明者： フアイベル・エス・ピンチヨフスキー
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-084822
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152222
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 液相堆積処理を用いた材料層の形成において、前駆物質に対して少ない化学反応性要件を課しかつ多種の薄膜層の信頼性ある形成を可能とする。【構成】 無水有機溶媒に溶融された金属有機前駆物質を液相熱分解することによって金属層、誘電体層、半導体層、超伝導層等の材料層を堆積する。有機溶媒は選択された金属有機前駆物質に対応する化学極性を有し、また、その前駆物質の分解温度より高い沸点を有する。本発明は同様に広範囲の材料層の形成に用いることができる広範囲の分子組成の使用を可能にする。一実施例においては、半導体基板12を金属置換複素環式アセチルアセトネート前駆物質をテトラデカン(沸点254°C)に溶融せしめた溶液混合物に浸せきする。アセチルアセトネートの構造に従い、金属もしくは金属酸化膜がアセチルアセトネート前駆物質の分解温度に維持された溶液に浸せきされた半導体基板12上に液相で堆積する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(12)上に材料層を液相堆積する方法であって、無水有機溶媒中に溶解された金属有機前駆物質を含む溶液を準備し、前記金属有機前駆物質の分解温度もしくはそれ以上の温度に維持された恒温槽(10)を介して前記溶液を循環させ、前記恒温槽(10)に前記半導体基板(12)を浸せきさせ、前記金属有機前駆物質を熱分解して前記半導体基板(12)の表面上に材料層を堆積させる、各段階を具備する前記方法。

IPC (5件)：

H01L 21/208 ,  C01B 13/32 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C01G 23/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特表昭62-502609
  
• 特表昭58-500634
  
• 特開昭62-297493
  
• 特開昭53-049972