特許

J-GLOBAL ID：200903047976425474

半導体装置及び電力変換装置

発明者： 小山 和博 ,  坂野 順一 ,  森 睦宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-045081
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307116
出願日： 2000年02月17日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】トレンチ絶縁ゲート型IGBTの電気的特性を向上する。【解決手段】隣り合う絶縁ゲート間の間隔が狭い領域(領域La)と広い領域(領域Lb)を設け、広い間隔の領域においては、p型ベース層(4)よりも深い、p型ウェル層(9)が設けられる。【効果】隣り合う絶縁ゲート間の間隔が狭い領域(領域La)と広い領域を設けながらも、耐圧が低下しない。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層と隣接する第2導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層と隣接する前記第1導電型の第3半導体層と、前記第3半導体層を貫き、前記第2半導体層に達する複数の絶縁ゲートと、隣り合う前記絶縁ゲート間の領域であって、互いに隣接する第1領域及び第2領域と、前記第1の領域における前記第3半導体層内において、前記絶縁ゲートに接する第2導電型の第4半導体層と、前記第1領域に置いて、前記第3半導体層及び前記第4半導体層に電気的に接続する第1主電極と、前記第1半導体層に電気的に接続する第2主電極と、を備え、前記第2領域における隣り合う前記絶縁ゲート間の間隔は、前記第1領域における隣り合う前記絶縁ゲート間の間隔よりも大きく、前記第1領域における隣り合う前記絶縁ゲート間の前記間隔をLaとし、前記第2領域における隣り合う前記絶縁ゲート間の前記間隔をLbとするとき、La≦5μmかつLb/La>1である半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 655 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 657 ,  H02M 7/5387

FI (7件)：

H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 G ,  H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/78 657 G ,  H02M 7/5387 Z