特許
J-GLOBAL ID：200903047977725927
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-297530
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135529
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の電極部と突起電極との間に気泡が取り込まれる虞が無く、該電極部と突起電極との密着性が向上し、所望の高さ及び径の電極部を得ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子の電極部の凹部33aに、導電性を有する材料により突起電極5を形成してなる半導体装置において、前記凹部33aの少なくとも周囲の一部33cを該凹部33aの底部と略同一面としたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極部の凹部に、導電性を有する材料により突起電極を形成してなる半導体装置において、前記凹部の少なくとも周囲の一部を該凹部の底部と略同一面としたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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