特許

J-GLOBAL ID：200903047978100599

半導体メモリへの情報書き込み読み出し方法

発明者： 助川 博
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-274742
公開番号（公開出願番号）：特開平6-131881
出願日： 1992年10月14日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、フローティングゲートにチャージされた電荷量によって記憶された情報の区別を行う半導体メモリの高記録密度化を微細寸法化によらず実現することができる半導体メモリへの情報書き込み読み出し方法を提供することを目的としている。【構成】 本発明において、コントロールゲート1にローレベルの書き込み電圧を印加すると、フローティングゲート2に電荷量Lの電子が蓄積される。コントロールゲート1にハイレベルの書き込み電圧を印加すると、フローティングゲート2に電荷量Hの電子が蓄積される。次にコントロールゲート1に印加する読み出し閾値電圧をローとハイの2種類として、各場合のソースSとドレインD間のオン、オフをチェックすることにより、フローティングゲート2に蓄積されている電荷量が0、L、Hのいずれかであることが読み出され、結局、メモリセルに3値化情報を読み書きでき、高記録密度化がなされる。

請求項（抜粋）：

コントロールゲートに書き込み電圧を印加することによって、フローティングゲートに電荷を蓄積し、前記コントロールゲートに読み出し電圧を印加することによって、前記フローティングゲートに蓄積されている電荷量に対応した情報を読み出す半導体メモリにおいて、n種類の電圧を有する書き込み電圧の中の1種類の書き込み電圧を前記コントロールゲートに印加して前記書き込み電圧に対応する電荷量を前記フローティングゲートに蓄積する、もしくは同一の電圧にて電圧を印加している維持時間をn種類としそれに対応する電荷量を前記フローティングゲートに蓄積する、もしくは印加電圧のパラメータと印加維持時間のパラメータの組み合わせによりn種類の電位差を与える電荷量の前記フローティングゲートに対する蓄積をコントロールし、且つ、前記コントロールゲートにn種類の読み出し電圧を順次印加して、前記フローティングゲートに蓄積されている電荷量に対応する情報を読み出すことを特徴とする半導体メモリへの情報書き込み読み出し方法。