特許

J-GLOBAL ID：200903047980483853

固体撮像装置の製造方法

発明者： 北澤 正志
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288472
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140615
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】この発明は、暗電流を十分に低減でき、かつアルミニウム膜による悪影響のないことを主要な目的とする。【構成】MIS型受光・蓄積部を有する受光素子を用いた固体撮像装置の製造方法において、シリコン基板(21)上にゲート絶縁膜(23)を介してゲート電極(24)を形成する工程と、前記ゲート電極(24)を含む前記基板(21)上に層間絶縁膜(27)を形成する工程と、前記層間絶縁膜(27)上にシリコン窒化膜(28)、アルミニウム膜(29)を順次形成する工程と、前記アルミニウム膜(29)を水素熱処理をした後、アルミナ膜(31)に変える工程と、前記アルミナ膜(31)を除去する工程とを具備することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

MIS型受光・蓄積部を有する受光素子を用いた固体撮像装置の製造方法において、半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を含む前記基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上にシリコン窒化膜、アルミニウム膜を順次形成する工程と、前記アルミニウム膜を水素熱処理した後、アルミナ膜に変える工程と、前記アルミナ膜を除去する工程とを具備することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/318 ,  H04N 5/335