特許
J-GLOBAL ID：200903047982414573
半導体装置の評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052379
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259240
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置のアスペクト比の大きいコンタクト窓を簡単に観察できるようにする。【構成】 半導体装置表面に導電膜15を蒸着するとともに、導電膜15に接地電位を印加し、半導体基板11に負の電圧を印加する。そして、半導体装置を走査電子顕微鏡で観察し、コンタクト窓13の開口の良否を二次電子像のコントラストの差により評価する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された半導体装置表面に導電膜を蒸着する工程と、前記導電膜を接地電位にし、前記半導体基板に負の電圧を印加し、走査電子顕微鏡により、前記半導体装置の二次電子像を観察する工程を含むことを特徴とする半導体装置の評価方法。
IPC (2件)：
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