特許

J-GLOBAL ID：200903047983504312

薄膜形成方法

発明者： 松井 功 ,  宇井 明生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-182151
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029308
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、高アスペクト比の溝内にステップカバレッジが良好な薄膜を形成することのできる薄膜形成方法を提供することにある。【構成】 反応容器1内に表面に溝あるいは段差が形成された試料4を収容し、ガス導入口6から反応容器1内に原料ガスとして少なくともSiHx F4-x (xは0〜3の中から選ばれる任意の整数)、Si2 Hy F6-y (y は0〜5の中から選ばれる任意の整数)、あるいはハロゲン原子を含有した有機シランガスの内から選ばれる一種類以上のガスとこれら原料ガスと化学反応しうる酸素を含有する反応性ガスをプラズマ装置8により励起しながら導入し、試料4の表面の溝あるいは段差に薄膜を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

反応容器内に表面に溝あるいは段差が形成された試料を収容し、反応容器内に原料ガスとして少なくともSiHx F4-x (x は0〜3の中から選ばれる任意の整数)、Si2 Hy F6-y (y は0〜5の中から選ばれる任意の整数)、あるいはハロゲン原子を含有した有機シランガスの内から選ばれる一種類以上のガスとこれら原料ガスと化学反応しうる酸素を含有する反応性ガスをプラズマにより励起しながら導入し、前記試料表面の溝あるいは段差に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-268429
  
• 特開平3-083334
  
• 特開昭60-250635
  
• 特開昭60-144940
  
• 特表平6-507942