特許

J-GLOBAL ID：200903047984593548

学習指示機能付半導体製造装置

発明者： 古井 達也
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-006032
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190457
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】ECRプラズマCVD法で成膜する半導体製造装置等ではガスの種類,流量等の成膜パラメータ(成膜条件)とこれによる成膜結果を評価した屈折率,残留応力等の膜質データとの相関関係が明確でなく、目的とする膜を得る成膜条件の決定のため経験と勘による試行錯誤が繰返されていることを改善する。【構成】成膜条件調整量指示手段1Aは、過去の成膜結果における成膜データのうち目標膜質データに近い膜質データを持つ成膜データを基準として、この基準成膜データに対する各成膜データの差としての成膜パラメータ調整量と膜質調整量データとをニューラルネットワークボード5に与えて学習を行わせたのち、この学習済のニューラルネットワークボード5に所望の膜質調整量データを入力してこの膜質を得る成膜パラメータ調整量を指示出力させる。

請求項（抜粋）：

成膜用ガスの種類および流量並びにこの種類および流量の組合せ,成膜温度,圧力,プラズマ条件などの条件項目を成膜パラメータとして成膜し、その成膜結果が膜の硬さ,残留応力,屈折率,エッチング速度,膜厚およびこの膜厚の均一性などの評価項目からなる膜質データによって評価される半導体製造装置において、1または複数のニューラルネットワークを設け、過去の成膜に基づく前記成膜パラメータの1つを基準成膜パラメータに、またこの基準成膜パラメータによって得られた前記膜質データを基準膜質データに夫々設定し、予め過去の複数の成膜結果についての前記膜質データと前記基準膜質データとの差を入力データ、該膜質データに対応する成膜パラメータと前記基準成膜パラメータとの差を教師データとして前記ニューラルネットワークに学習を行わせ、この学習済のニューラルネットワークへ、目標の前記膜質データと前記基準膜質データとの差を入力して、このニューラルネットワークから前記目標膜質データを得る成膜パラメータと前記基準成膜パラメータとの差を指示出力させるようにしたことを特徴とする学習指示機能付半導体製造装置。