特許
J-GLOBAL ID:200903047991552520

高純度コバルトの製造方法及び高純度コバルトスパッタリングターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 倉内 基弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-060362
公開番号(公開出願番号):特開平9-227967
出願日: 1996年02月23日
公開日(公表日): 1997年09月02日
要約:
【要約】【課題】 ターゲット等の用途に適した、アルカリ金属元素、放射性元素、遷移金属元素のみならず、ガス成分等の不純物をも最小限しか含まない5Nレベル以上の高純度コバルトを安定してかつ容易に製造できる方法の開発。【解決手段】 こうした不純物を含有し、塩酸濃度が7〜12Nの塩化コバルト水溶液を、陰イオン交換樹脂と接触させコバルトを吸着させた後、1〜6Nの塩酸を用いてコバルトを溶離し、得られた溶離液を蒸発乾固又は濃縮した後、pH=0〜6の高純度塩化コバルト水溶液とし、さらに活性炭により液中の有機物を除去し水溶液を電解液として電解精製により電析コバルトを得る。活性炭により陰イオン交換樹脂に由来する液中の有機物を除去する。
請求項(抜粋):
少なくともFe及び/又はNiを不純物として含有し、塩酸濃度が7〜12Nの塩化コバルト水溶液を、陰イオン交換樹脂と接触させコバルトを吸着させた後、1〜6Nの塩酸を用いてコバルトを溶離し、得られた溶離液を蒸発乾固又は濃縮した後、pH=0〜6の高純度塩化コバルト水溶液とし、さらに活性炭により液中の有機物を除去し該水溶液を電解液として電解精製により電析コバルトを得ることを特徴とする高純度コバルトの製造方法。
IPC (5件):
C22B 23/06 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  C25C 1/08 ,  H01L 21/3205
FI (5件):
C22B 23/06 ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/34 A ,  C25C 1/08 ,  H01L 21/88 M
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特公昭51-008095
  • 特開昭49-041217
  • 特開昭62-228436

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