特許

J-GLOBAL ID：200903047993379923

半導体ウェーハの加工装置

発明者： 稲葉 高男
出願人/特許権者： 株式会社東京精密
代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-144217
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338479
出願日： 2002年05月20日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：

【要約】【課題】共通のテーブルで半導体ウェーハを保持しながら複数の加工部で加工する場合において、半導体ウェーハを加工しながら加工面の状態を測定することができる半導体ウェーハ加工装置を提供する。【解決手段】本発明の加工装置10は主として、吸着テーブル12、研削装置14、研磨装置16、及び測定装置17で構成され、吸着テーブル12に半導体ウェーハ22が保持される。研削装置14は、半導体ウェーハ22の裏面22Bの一部に押し付けられるカップ型砥石24を有し、研磨装置16は、裏面22Bの一部に押し付けられる研磨布42を有している。測定装置17は、裏面22Bのうち、カップ型砥石24、及び研磨布42が配置されない領域に設けられ、半導体ウェーハ22の厚さを測定する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを保持して回転するテーブルと、前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの片面の一部分に押し付けられ、該片面を加工する複数の加工部と、前記半導体ウェーハの片面のうち、前記加工部が加工中に配置される領域同士の隙間に配置され、前記片面の状態を測定する測定手段と、を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。

IPC (6件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 7/04 ,  B24B 37/04 ,  B24B 49/04

FI (6件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/304 622 R ,  B24B 7/04 A ,  B24B 37/04 Z ,  B24B 49/04 Z

Fターム (19件)：

3C034AA08 ,  3C034AA13 ,  3C034BB92 ,  3C034BB93 ,  3C034CA02 ,  3C034CA12 ,  3C034CB02 ,  3C043BA03 ,  3C043BA09 ,  3C043CC04 ,  3C043CC07 ,  3C043CC11 ,  3C058AA04 ,  3C058AA18 ,  3C058AC02 ,  3C058CB04 ,  3C058CB08 ,  3C058CB09 ,  3C058DA17