特許
J-GLOBAL ID：200903047998844780
選択歪領域の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-176432
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086176
出願日： 1993年07月16日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 歪の入った領域を選択的に形成する方法を提供すること。【構成】 結晶基板1に結晶構成原子間の結合を切断しかつスパッタリングを生じない量のイオン2を選択的に打ち込むと、打ち込んだ領域の結晶の結合が切れて非晶質層3(ダメージ領域)が形成され、体積が膨張する。その結果、打ち込んだ表面が選択的に隆起する。その後、その表面に薄膜層4を形成する。さらに、基板に加熱処理を施してこの隆起を減少させると、薄膜層の一部5に圧縮歪が発生する。
請求項（抜粋）：
少なくとも結晶基板表面に結晶構成原子間の結合を切断しかつスパッタリングを生じない量の加速したイオンを選択的に打ち込んで基板表面を選択的に隆起させ、その表面にイオンの打ち込みによるダメージが回復しない温度で薄膜層を形成し、前記ダメージが回復する温度で基板に加熱処理を施してこの隆起を減少させ、薄膜層の一部に歪を発生させることを特徴とする歪領域の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/265
, H01L 21/324
, H01L 21/78
