特許

J-GLOBAL ID：200903048000562562

半導体レーザ素子

発明者： 岩井 則広 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-117681
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302953
出願日： 1994年05月06日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 活性層に発生した熱の放散がよく、動作特性が向上した半導体レーザ素子を提供する。【構成】 レーザ光を反射する多層反射膜12、13を有し、該多層反射膜12、13は屈折率の異なる2種類の層を交互に重ねて構成されており、前記2種類の層の光学的厚さはλ/4(λ:レーザ発振波長)である半導体レーザ素子において、多層反射膜12、13を構成する2種類の層のうちの1種類は、AlN、GaPまたはAlPからなる。

請求項（抜粋）：

レーザ光を反射する多層反射膜を有し、該多層反射膜は屈折率の異なる2種類の層を交互に重ねて構成されており、前記2種類の層の光学的厚さはλ/4(λ:レーザ発振波長)である半導体レーザ素子において、多層反射膜を構成する2種類の層のうちの1種類は、AlN、GaPまたはAlPからなることを特徴とする半導体レーザ素子。