特許
J-GLOBAL ID：200903048006039675
平坦化膜の形成方法及び平坦化膜の形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-008634
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224189
出願日： 1993年01月21日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】凹凸を有する半導体等の基板上に形成された絶縁膜を加熱によるリフローにより平坦化する平坦化膜の形成方法に関し、微細化を妨げず、かつ膜質の悪化を伴わずに、凸部間の凹部を完全に埋めることができ、かつより一層の平坦化を図ることができる平坦化膜の形成方法を提供する。【構成】凹凸31a,31b,30a〜30dを有する基板25上に不純物のドープされた絶縁膜(ドープド絶縁膜)32aを形成する工程と、雰囲気ガス中で、前記基板25を加熱して前記ドープド絶縁膜32aの軟化点以上の温度に保持するとともに、前記基板25を動かすことにより前記基板25に加速度を与えて前記基板25上で前記ドープド絶縁膜32aを流動させ、平坦化されたドープド絶縁膜32bを形成する工程とを含み構成する。
請求項（抜粋）：
凹凸(31a,31b),(30a〜30d)を有する基板(25)上に不純物のドープされた絶縁膜(32a)を形成する工程と、雰囲気ガス中で、前記基板(25)を加熱して前記絶縁膜(32a)の軟化点以上の温度に保持するとともに、前記基板(25)を動かすことにより、前記基板(25)に加速度を与えて前記基板(25)上で前記絶縁膜(32a)を流動させ、平坦化された絶縁膜(32b)を形成する工程とを有する平坦化膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, C23C 16/46
, H01L 21/31
, H01L 21/316
