特許

J-GLOBAL ID：200903048009426939

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 小原 哲治 ,  細江 英之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340270
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188289
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップを実装基板上にバンプ電極を介して実装する半導体集積回路装置において、半導体チップと実装基板との熱膨張差に起因するバンプ電極の破断現象を抑制する。【構成】 半導体チップ9に設けられたCCBバンプ6に対して、パッケージ基板2に設けられたピン7aの一部を突き刺すことにより、半導体チップ9をパッケージ基板2に実装した半導体集積回路装置である。

請求項（抜粋）：

半導体チップに設けられたバンプ電極に対して、実装基板に設けられたピンの一部を突き刺すことにより、前記半導体チップを前記実装基板に実装したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/92 B ,  H01L 23/12 F