特許
J-GLOBAL ID：200903048015849299
半導体ウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木下 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343559
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177096
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 均一かつ高精度な厚さ寸法及び表面粗さの半導体ウエーハを製造でき、しかもウエーハの製造に直接関与しない間接的な設備コストを低廉におさえることを可能とする。【構成】 スライスされたシリコン単結晶板Wに対し、ラッピング工程22及び化学研磨工程23を経て所定の表面仕上げを行なう半導体ウエーハの製造方法において、少なくとも前記ラッピング工程及び化学研磨工程に代えて、平面研削工程24を挿入したことを特徴としている。この平面研削工程は、少なくとも二連以上の砥石を使用し、まずウエーハWの片面だけを所定量研削し、片面に対する研削終了後、もう一方の面を所定量研削してウエーハ両面に対する研削処理を終了させる。
請求項（抜粋）：
スライスされたシリコン単結晶板に対し、ラッピング工程及び化学研磨工程を経て所定の表面仕上げを行う半導体ウエーハの製造方法において、少なくとも前記ラッピング工程及び化学研磨工程に代えて、各ウエーハごとに研削量を調整し、かつウエーハを片面ごとに研削していく平面研削工程を挿入したことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
引用特許：
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