特許
J-GLOBAL ID：200903048016490740
定電圧発生回路及び定電流源回路
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-075275
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268502
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 電源電圧変動や温度変化ならびにプロセスバラツキにともなうしきい値電圧変動がその出力特性に与える影響を抑制しうる定電圧発生回路及び定電流源回路を実現する。この結果、定電圧発生回路及び定電流源回路を含む論理集積回路装置等の製品歩留まりを高め、その高速化・高性能化を推進する。【構成】 MESFETを基本構成とする論理集積回路装置等の定電圧発生回路を、そのゲートがソース側に設けられたダイオードD6のカソードに結合されることにより飽和領域でサブスレッシホルド動作するFETQ1と、このFETQ1のドレイン又はソース側に直列形態に設けられる複数のダイオードD1〜D5とを中心に構成する。これにより、FETQ1に、ダイオードに類似した電流電圧特性を持たせ、その特性変化をダイオードの特性変化と相殺させる。
請求項（抜粋）：
飽和領域でサブスレッシホルド動作する第1のFETと、実質的に上記第1のFETと直列形態に設けられる第1のダイオードとを具備することを特徴とする定電圧発生回路。
IPC (3件)：
H03K 19/00
, G05F 3/24
, H03K 19/0952
