特許
J-GLOBAL ID:200903048017015352
透明導電性積層体
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-175855
公開番号(公開出願番号):特開平9-024574
出願日: 1995年07月12日
公開日(公表日): 1997年01月28日
要約:
【要約】【解決手段】 透明高分子基体10の一方の主面上に、第1層として少なくともチタン、タンタル、ニッケル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれかを含む第一の薄膜層(B)20と、主として酸化インジウムからなる透明導電層(C)30と、スパッタリング法によって形成した銅を主体とする第二の薄膜層(D)40と、をABCDなる構成で形成した透明導電性積層体。【効果】 低シート抵抗、高可視光透過性を有し、さらにこれを用いてエレクトロルミネッセンスディスプレイを作製すると、光継続時の輝度低下を抑制し、さらに耐屈曲性をも改善した耐久性に優れたものが得られる。
請求項(抜粋):
透明高分子基体(A)の一方の主面に、少なくともチタン、タンタル、ニッケル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれかを含む第一の薄膜層(B)と、主として酸化インジウムからなる透明導電層(C)と、スパッタリング法によって形成した銅を主体とする第二の薄膜層(D)と、をABCDなる構成で形成した透明導電性積層体。
IPC (3件):
B32B 9/00
, B32B 7/02 104
, H01B 5/14
FI (3件):
B32B 9/00 A
, B32B 7/02 104
, H01B 5/14 A
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