半導体素子形成用板状基体及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-391848
公開番号（公開出願番号）：特開2005-158846
出願日： 2003年11月21日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】半導体基板上に窒化物系化合物半導体領域を設けた板状基体に反りが発生するという問題がある。【解決手段】シリコン基板2の上に窒化物系化合物半導体から成るバッファ領域3を介して発光ダイオード用の窒化物系化合物半導体から成る主半導体領域4を設ける。バッファ領域3の中に空所24を含むバッファ領域32、34、36を設ける。空所24を含むバッファ領域32、34、36の両側に空所を有さないバッファ領域31、33、35、37を配置する。空所24を有するバッファ領域32、34、36をAlNから成る第1及び第3の層21、23とGaNから成る第2の層22とで構成する。空所24を有するバッファ領域32、34、36は応力緩和作用を有し、板状基体1の反りが小さくなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に形成され且つ複数の空所を有しており且つ化合物半導体から成るバッファ領域と、前記バッファ領域の上に形成された少なくとも1つの化合物半導体層を含む主半導体領域とを備えていることを特徴とする半導体素子形成用板状基体。

IPC (7件)：

H01L29/26 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/00

FI (5件)：

H01L29/263 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 C , H01L29/80 H

Fターム (40件)：

5F041AA02 , 5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA04 , 5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045AF20 , 5F045BB11 , 5F045CA06 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DB09 , 5F052JA07 , 5F052JA10 , 5F052KA01 , 5F052KA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GV07 , 5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (10件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-248735 出願人：サンケン電気株式会社
窒化物半導体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-038213 出願人：日立電線株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-322132 出願人：豊田合成株式会社

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審査官引用 (8件)

窒化物半導体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-038213 出願人：日立電線株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-322132 出願人：豊田合成株式会社
特開平1-266716

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