特許
J-GLOBAL ID：200903048022357466
高周波素子用パッケージ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331241
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133462
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 パッケージの高周波特性を改善して、数十GHzといった高周波で動作する半導体素子を好適に搭載できるパッケージとして提供する。【解決手段】 半導体素子を収納する基体10aとキャップ接合部10bとがセラミックを基材として一体に形成されるとともに、前記基体10aの前記キャップ接合部10bが積層される面上にキャップ接合部を通過して回路パターン20が設けられた高周波素子用パッケージにおいて、前記キャップ接合部10bを通過する部位の回路パターンがキャップ接合部に設けられたメタライズ層と前記基体に設けられたメタライズ層とにより擬似同軸構造に形成されるとともに、前記基体10a上に前記回路パターン20とコプレナー構造となる導体層22が設けられ、前記キャップ接合部10bの内周縁と外周縁に沿って前記基体10aの表面に所定幅でセラミックコート部30が設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体素子を収納する基体とキャップ接合部とがセラミックを基材として一体に形成されるとともに、前記基体の前記キャップ接合部が積層される面上にキャップ接合部を通過して回路パターンが設けられた高周波素子用パッケージにおいて、前記キャップ接合部を通過する部位の回路パターンがキャップ接合部に設けられたメタライズ層と前記基体に設けられたメタライズ層とにより擬似同軸構造に形成されるとともに、前記基体上に前記回路パターンとコプレナー構造となる導体層が設けられ、前記キャップ接合部の内周縁と外周縁に沿って前記基体の表面に所定幅でセラミックコート部が設けられていることを特徴とする高周波素子用パッケージ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/08 C
, H01L 23/02 H
