特許

J-GLOBAL ID：200903048023521243

半導体装置及びその製造方法

発明者： 濱田 明美
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267184
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120490
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 ホットキャリア注入の影響の少ないゲート絶縁型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 ゲート電極形成後にゲート電極下の酸化膜を除去する。酸化膜除去後、直ちに酸素雰囲気中に室温で放置し、Si基板表面をOで終端する。【効果】 本発明によれば、ホットキャリア注入によるトランジスタ特性の劣化を防止することができ、高信頼性を有する集積回路を構成できる。また、SOIトランジスタに適用することでより微細なトランジスタの信頼性を高めることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面の第1の領域に酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜上にMOSトランジスタのゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極下のゲート絶縁膜をエッチングにより除去する工程と、上記ゲート絶縁膜除去後に上記ゲート電極下の上記半導体基板の上記主表面のSi未結合手を既知原子で終端する工程と、上記MOSトランジスタ領域及びその周辺上にパッシベーション膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 311 R ,  H01L 29/78 311 Y