特許

J-GLOBAL ID：200903048024295085

窒化物半導体発光素子

発明者： 森岡 靖 ,  阿部 雅俊
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-116546
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307812
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 主としてLED、LD等の窒化物半導体素子の出力を向上させると共に、Vf及びしきい値を低下させて素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 基板1と活性層6との間に、基板側から順にアンドープの第1の窒化物半導体層3と、カーボン、又はカーボンとn型不純物とが含有されたn導電型の第2の窒化物半導体層4とを有し、前記第2の窒化物半導体層4にn電極11が形成されている。第1の窒化物半導体層3はアンドープであるので結晶性の良い下地層となり、第2の窒化物半導体層4を結晶性良く成長でき、素子特性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

基板と活性層との間に、基板側から順にアンドープの第1の窒化物半導体層と、カーボン、又はカーボンとn型不純物とを含有するn導電型の第2の窒化物半導体層とを少なくとも有し、更に前記第2の窒化物半導体層にn電極が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。