特許

J-GLOBAL ID：200903048032337471

イオン発生基板および電子写真記録装置

発明者： 菅野 司 ,  江崎 史郎
出願人/特許権者： 東芝ライテック株式会社 ,  東芝エー・ブイ・イー株式会社
代理人 (1件)： 柏木 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-360824
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008042
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】十分なイオン発生量を維持しながら最外層に位置する電極の耐久性を保つ。【解決手段】本発明のイオン発生基板は、少なくとも表面が電気絶縁性の基板1と、基板1上に形成された第1電極2と、基板1上に第1電極2と離間して形成され、第1電極2との間でコロナ放電を生起して大気中にイオンを発生させる第2電極4と、第1電極2および第2電極4のうち最外層に位置する電極の表面のみを覆うかまたは最外層に位置する電極を覆うとともにこの電極の周辺を電極を覆った部分よりも薄い厚さで覆う保護層5とを具備とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が電気絶縁性の基板と;基板上に形成された第1電極と;基板上に第1電極と離間して形成され、第1電極との間でコロナ放電を生起して大気中にイオンを発生させる第2電極と;第1電極および第2電極のうち最外層に位置する電極の表面のみを覆うか、または、最外層に位置する電極を覆うとともにこの電極の周辺を電極を覆った部分よりも薄い厚さで覆う保護層と;を具備していることを特徴とするイオン発生基板。

IPC (4件)：

H01T 19/00 ,  G03G 15/00 303 ,  G03G 15/02 101 ,  H01T 23/00

FI (4件)：

H01T 19/00 ,  G03G 15/00 303 ,  G03G 15/02 101 ,  H01T 23/00