半導体デバイスの作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233120
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046185
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの作製に当たり、選択成長法によりエピタキシャル成長層を成長させる選択成長工程を実施する際に、選択成長工程に続く後の工程に支障を来さないようにした、半導体デバイスの作製方法を提供する。【解決手段】本方法は、マスク20から露出したエピタキシャル成長領域10bに化合物半導体層を選択成長させた後、マスク上に堆積した多結晶粒28を酸化して、酸化多結晶粒30に転化させ、次いで、エッチング処理を施して、酸化多結晶及びマスクを非成長領域10aから除去する。

請求項（抜粋）：

選択成長法によりエピタキシャル成長層を成長させる選択成長工程を有する、半導体デバイスの作製方法において、選択成長工程が、エピタキシャル成長領域を露出させ、非成長領域を覆うマスクを基板上に形成するマスク形成工程と、マスクから露出したエピタキシャル成長領域に化合物半導体層を選択成長させる成長工程と、マスク上に堆積した多結晶粒及び/又は多結晶層を酸化して、酸化多結晶粒及び/又は酸化多結晶層に転化させる酸化工程と、エッチング処理を施して、酸化多結晶粒及び/又は酸化多結晶層並びにマスクを非成長領域から除去する除去工程とを有することを特徴とする半導体デバイスの作製方法。

IPC (5件)：

H01S 5/026 616 , C23C 16/04 , C23C 16/30 , G02F 1/017 503 , H01L 21/205

FI (5件)：

H01S 5/026 616 , C23C 16/04 , C23C 16/30 , G02F 1/017 503 , H01L 21/205

Fターム (36件)：

2H079AA02 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079DA16 , 2H079EA07 , 2H079JA07 , 2H079KA18 , 4K030AA11 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA25 , 4K030BA51 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AA20 , 5F045AB09 , 5F045AB12 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AF04 , 5F045CA12 , 5F045DA55 , 5F045DB03 , 5F045HA14 , 5F045HA16 , 5F073AA46 , 5F073AA74 , 5F073AB21 , 5F073CA12 , 5F073DA05 , 5F073DA21 , 5F073DA27

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