特許
J-GLOBAL ID：200903048048611174

半導体素子及びその製造方法

発明者：
中田 武志

中田 武志 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-143701
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332287
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 半絶縁性半導体基板上の高濃度p型層への半絶縁性不純物の拡散を抑圧し、p型層のp型伝導効果の劣化を防ぎ、p型層を利用した半導体素子の性能向上が可能な半導体素子を提供する。【解決手段】 半絶縁性半導体基板101と高濃度p型層103との間に半絶縁性半導体基板101から高濃度p型層103への半絶縁性不純物の拡散を抑圧するバッファ層102を介在させた構造とする。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板上に高濃度p型層を有する半導体素子において、前記半絶縁性半導体基板と前記高濃度p型層との間に前記半絶縁性半導体基板から前記高濃度p型層への半絶縁性不純物の拡散を抑圧するバッファ層を介在させたことを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 31/10 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/30
FI (3件)：
H01L 31/10 A ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/30
Fターム (40件)：
5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB12 ,  5F045AC01 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA03 ,  5F049NA12 ,  5F049NA13 ,  5F049NA14 ,  5F049NA15 ,  5F049PA03 ,  5F049PA14 ,  5F049QA02 ,  5F049QA18 ,  5F049SE11 ,  5F049SS04 ,  5F049TA01 ,  5F073AA11 ,  5F073AA61 ,  5F073AB22 ,  5F073CA07 ,  5F073CB03 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA04 ,  5F073DA06 ,  5F073DA22 ,  5F073DA23 ,  5F073EA14 ,  5F073EA28 ,  5F073FA30
引用特許：
審査官引用 (9件)
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