特許
J-GLOBAL ID：200903048049355953
レジストパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-002005
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190441
出願日： 1992年01月09日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【構成】 被加工膜又は基板1上にシリル化用レジスト2を堆積し、所定の形状のレジストシリル化層4を形成する。次に、ドライエッチングにより、未反応シリル化用レジスト2を膜厚の25〜50%程度除去した後、レジストシリル化層4表面を酸化することにより、シリコン有機膜の酸化膜5を形成する。その後、再び未反応シリル化用レジスト2をドライエッチングし、レジストパターンを形成する。【効果】 レジストシリル化用の酸素プラズマ耐性が向上し、従来に比べて所望の寸法との差の小さなレジストパターンが得られる。
請求項（抜粋）：
レジストシリル化プロセスを用いたレジストパターン形成方法において、被加工膜又は基板上にシリル化用レジストを塗布し、所定のパターンで露光した後に露光領域をシリル化する工程と、上記工程により形成されたレジストシリル化層をマスクとして、所定の量のエッチングを行った後、前記レジストシリル化層表面を酸化する工程と、上記工程後、前記未反応シリル化用レジストをドライエッチングにより除去し、レジストパターンを形成する工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
H01L 21/30 361 K
, H01L 21/30 341 P
