特許
J-GLOBAL ID：200903048049713957
半導体レーザ共振器面の保護膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-358206
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204616
出願日： 1992年12月26日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】エッチドミラーレーザにおいて端面の垂直性を失わない半導体の端面保護膜の形成し、レーザの共振器端面9を垂直にすることを目的とする。【構成】レーザ共振器面10のうち第1のクラッド層と第2のクラッド層とを共振器方向にエッチングする。そして、SCH層と第1のクラッド層2と第2のクラッド層4とエッチングされた底面とに活性層より禁制帯幅の大きな半導体膜8を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1のクラッド層と、光閉じ込め層と活性層とからなるSCH層と、第2のクラッド層とが順次形成されたダブルヘテロ構造を含む半導体多層膜を半導体基板内部に到るまでエッチングすることによりレーザ共振器面を形成する段階と;エッチングにより作製されたレーザ共振器面を形成する、SCH層を挟む第1のクラッド層および第2のクラッド層をレーザ共振器面より垂直方向にSCH層を残してエッチングする段階と;エッチングされた第1のクラッド層および第2のクラッド層の面、SCH層のレーザ共振器面ならびに底面に前記活性層より禁制帯幅の大きな半導体膜を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体レーザ共振器面の保護膜形成方法。
IPC (2件)：
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