特許

J-GLOBAL ID：200903048058382092

半導体装置およびその製造方法

発明者： 葛城 慎司 ,  上遠野 隆
出願人/特許権者： 旭化成マイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183679
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029527
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 チャネル方向の電界緩和効果に加え、垂直方向の耐圧を向上させることによって高耐圧の半導体装置を得る。【構成】 第1導電型の第1半導体領域11の主面部に絶縁膜13を介して導電層14が設けられ、導電層14の両側における第1半導体領域11の主面部に第2導電型の第2半導体領域15が設けられ、第2半導体領域15に接し、第1半導体領域の主面部の一部に第2半導体領域よりも不純物濃度が低い第2導電型の第3半導体領域16が設けられ、第2半導体領域15と第1半導体領域11の境界に沿って第2半導体領域よりも不純物濃度が低い第2導電型の第4半導体領域17が設けられている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体領域の主面部に絶縁膜を介して導電層が設けられ、該導電層の両側における前記第1半導体領域の主面部に第2導電型の第2半導体領域が設けられた半導体装置において、前記第2半導体領域に接し、前記第1半導体領域の主面部の一部に該第2半導体領域よりも不純物濃度が低い第2導電型の第3半導体領域が設けられ、且つ前記第2半導体領域と前記第1半導体領域の境界に沿って前記第2半導体領域よりも不純物濃度が低い第2導電型の第4半導体領域が設けられたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 L