特許
J-GLOBAL ID：200903048058664560
成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-297042
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153696
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】有機金属化学気相成長法(MOCVD法)によりボロン含有絶縁膜(BSG膜,BPSG膜)を形成する成膜方法に関し、形成される膜中にボロンが均一に含有され、かつパウダー等の発生の少ないボロン含有絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】所定の温度に設定された容器4b,4c内の1又は2以上の不純物ソースからキャリアガスを介して不純物ソースガスを供給し、成膜中に1又は2以上の不純物を添加する成膜方法において、特定の前記不純物ソースの設定温度を下げ、かつ該不純物ソースに供給するキャリアガスの流量を増すことによって前記絶縁膜中の不純物含有量のばらつきを少なくすることを含む。
請求項（抜粋）：
所定の温度に設定された容器内の1又は2以上の不純物ソースからキャリアガスを介して不純物ソースガスを供給し、成膜中に1又は2以上の不純物を添加する成膜方法において、特定の前記不純物ソースの設定温度を下げ、かつ該不純物ソースに供給するキャリアガスの流量を増すことによって形成される膜中の不純物含有量のばらつきを少なくすることを特徴とする成膜方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/316
