特許
J-GLOBAL ID：200903048059667414
薄膜磁石およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232485
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150234
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 発生する磁束の分布に乱れが少なく、特性にばらつきの少ない品質の高い薄膜磁石およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 膜厚方向に結晶のc軸が配向したNd2Fe14B型結晶相2と、非結晶相3とが交互に隣接する組織を有することを特徴とする薄膜磁石と、その製造方法。
請求項（抜粋）：
膜厚方向に結晶のc軸が配向したNd2Fe14B型結晶相と、非結晶相とが交互に隣接する組織を有することを特徴とする薄膜磁石。
IPC (4件)：
H01F 10/14
, H01F 7/02
, H01F 41/14
, H01F 1/053
H01F 10/14
, H01F 7/02 Z
, H01F 41/14
, H01F 1/04 H
