特許

J-GLOBAL ID：200903048064836208

配線形成方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190121
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045554
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 微細なコンタクト・ホール内で信頼性の高いオーミック・コンタクトを形成する。【構成】 コンタクト・ホール3の底面に露出する拡散層2の表面の自然酸化膜5をハロゲン系ガスのプラズマを用いて還元除去した後、基板を大気開放せずに連続してCVDを行い、CVD-TiN(200)膜6を成膜する。これにより、Si(100)面とTiN(200)面との結晶配向の連続性を高め、オーミック性を向上させる。【効果】 従来のH2 を主体とするプラズマによる自然酸化膜の還元除去に比べて、拡散層2へのダメージが少ない。オーミック性確保のためのTi膜の成膜工程が省略でき、またTi膜を成膜したとしてもその膜厚が少なくて済むので、スループットが向上する。

請求項（抜粋）：

CVD装置内で基板上の導電材料層の表面の自然酸化膜をハロゲン系化合物を含むガスのプラズマを用いて除去した後、同一装置内で連続的にCVDを行い、前記導電材料層の露出面上に少なくともTiN膜を成膜することを特徴とする配線形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C