不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185887
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051164
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】製造の容易な構造の不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】一導電型半導体基板11中にソース領域13およびドレイン領域12を設け、半導体基板11上に素子分離絶縁膜14によって分離された活性領域を設けた。そして、ソース領域13およびドレイン領域12に挟まれ、ソース領域13に接する所定のチャネル領域上に、ゲート絶縁膜15を形成し、さらにゲート絶縁膜15上に浮遊ゲート電極16を設けた。浮遊ゲート電極16上には、層間絶縁膜17を介して、同時に形成した制御ゲート電極20と消去ゲート電極21を配置した。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板中にソース領域およびドレイン領域が設けられ、前記ソース領域およびドレイン領域に挟まれ、前記ソース領域に接する所定のチャネル領域上にゲート絶縁膜が形成されており、前記ゲート絶縁膜上に浮遊ゲート電極を備え、前記浮遊ゲート電極上に層間絶縁膜を介して、制御ゲート電極と消去ゲート電極を少なくとも備えていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

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