特許

J-GLOBAL ID：200903048068397918

半導体記憶装置、その装置製造方法

発明者： 関根 順一
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-365344
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188382
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】 メモリセルの周囲にダミーセルを形成して歩留りを改善した半導体記憶装置において、小型化や生産性を阻害することなく内部電源の電位降下を補償する。【解決手段】 ダミーセル113の容量を内部電源に接続し、内部電源の電位降下をダミーセル113の容量により補償する。

請求項（抜粋）：

二次元的に配列されて容量により二値データを読書自在に各々保持する多数のメモリセルと、該メモリセルの配列の外周部分に同等な回路パターンで形成されてデータ読書には使用されない複数のダミーセルと、各部に供給される駆動電力を発生する内部電源と、該内部電源が発生する駆動電力を消費して各種動作を実行する能動回路と、を具備している半導体記憶装置であって、複数の前記ダミーセルの少なくとも一部の容量が前記内部電源に接続されている半導体記憶装置。

IPC (7件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (7件)：

H01L 27/10 681 Z ,  H01L 27/10 451 ,  G11C 11/34 352 E ,  G11C 11/34 371 K ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 29/78 371

Fターム (16件)：

5B024AA04 ,  5B024BA01 ,  5B024BA27 ,  5B024CA21 ,  5B024CA27 ,  5F001AA17 ,  5F083AD21 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083LA17 ,  5F083ZA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭61-166066