物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法ならびにその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-060332
公開番号（公開出願番号）：特開平10-257392
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】受けた物理量を検知する検知部と検知された物理量の情報を蓄積する蓄積部を備えた複数個の単位を小型化する。【解決手段】マトリックス状に配置された画素32それぞれに、光電変換蓄積部33とその駆動トランジスタ35とを配置し、行選択シフトレジスタ36と、それによって導通制御される、選択行駆動部38の選択行駆動トランジスタ40とで行の選択をする。列方向の選択は、列選択シフトレジスタ50によって、バッファとしてのソースフォロワ回路を駆動トランジスタ35と構成するロードトランジスタ44を選択的に導通制御することによって行う。そして、選択行駆動トランジスタ40を選択行駆動電圧入力部39に接続して、画素2の行に電源電圧(Vdd)の選択的に供給することによって行選択をする構成とした。

請求項（抜粋）：

検知蓄積領域内の複数の単位領域のそれぞれに配置され、受けた物理量を検知するための検知手段および前記検知手段で検知された物理量の情報を蓄積するための蓄積手段を有する検知蓄積部と、前記検知蓄積部に対応させて配置され、前記対応する検知蓄積部の蓄積手段に蓄積された情報を検出して出力するバッファ部と、前記検知蓄積部を選択するための選択機能部とを備え、前記選択機能部の出力信号を伝達するための選択伝達手段が前記バッファ部の電源入力部と接続されていることを特徴とする物理量分布検知半導体装置。

IPC (3件)：

H04N 5/335 , H01L 27/146 , H04N 5/30

FI (3件)：

H04N 5/335 P , H04N 5/30 , H01L 27/14 A

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