特許
J-GLOBAL ID：200903048077835600
レジストパターン形成条件決定方法及びレジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216164
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066112
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 電磁波照射量に依存することなく、また、レジスト膜の焼成条件又は現像条件の最適条件を互いに独立して少ない工程で容易に求めることができるレジストパターン形成条件決定方法及びこのレジストパターン形成条件決定方法で決定した条件でレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法を提供する。【構成】 基板上に形成したレジスト膜を複数用意してそれぞれ異なる焼成条件で焼成し、これらに露光処理を施すことなく各焼成条件で焼成したレジスト膜のそれぞれを所定の現像液で現像処理して一部溶解したとき、各レジスト膜のうちで溶解の傾向が所望の傾向を示したレジスト膜の焼成条件をレジスト膜焼成条件として決定し、また、基板上に形成したレジスト膜を複数用意して所定の焼成条件で焼成し、これらに露光処理を施すことなくこれら焼成した各レジスト膜のそれぞれを異なる現像条件で現像処理して一部溶解したとき、各レジスト膜のうちで溶解の傾向が所望の傾向を示した場合のレジスト膜の現像条件に基づいて現像条件を決定する。
請求項（抜粋）：
レジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜形成工程によって形成されたレジスト膜を焼成するレジスト膜焼成工程と、このレジスト膜焼成工程によって焼成されたレジスト膜に電磁波又は粒子線による所定のパターン露光を施す露光工程と、この露光工程を経たレジスト膜に現像処理を施す現像工程とを有するレジストパターン形成工程におけるレジスト膜焼成条件及び現像条件のいずれか一方又は双方の工程の処理条件を決定するレジストパターン形成条件決定方法であって、基板上に形成したレジスト膜を複数用意してそれぞれ異なる焼成条件で焼成し、これらに露光処理を施すことなく各焼成条件で焼成したレジスト膜のそれぞれを所定の現像液及び処理条件で一部溶解する現像液処理を施したとき、各レジスト膜のうちで溶解の傾向が所望の傾向を示したレジスト膜の焼成条件をレジスト膜焼成条件として決定し、また、基板上に形成したレジスト膜を複数用意して所定の焼成条件で焼成し、これらに露光処理を施すことなくこれら焼成した各レジスト膜のそれぞれを異なる現像液処理条件で現像液処理して一部溶解したとき、各レジスト膜のうちで溶解の傾向が所望の傾向を示した場合のレジスト膜の現像液処理条件に基づいて現像条件を決定することを特徴としたレジストパターン形成条件決定方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 501
