特許

J-GLOBAL ID：200903048077861406

半導体装置の製造方法

発明者： 深谷 和秀
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-158213
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353200
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 連続した処理を行なうことによる温度変化の影響を排除して、複数枚のウェハの処理特性を均一化する。【解決手段】 複数枚のウェハを順次連続して処理する処理室とこの処理室へウェハを供給する予備室とを有する装置を用いた半導体装置の製造方法において、前記連続的処理による処理室内の温度変化に対応させて予備室内のウェハの温度を制御して、処理室内のウェハの温度を一定にする。上述した本発明によれば、処理されるウェハの温度が一定となるため、処理特性が均一化され、歩留りを向上させることができる。加えて予備室で温度調整を行なうため、処理時間を増加させることがなく、エージング処理が不要となるのでダミーウェハの消費を低減させることができる。

請求項（抜粋）：

複数枚のウェハを順次連続して処理する処理室とこの処理室へウェハを供給する予備室とを有する装置を用いた半導体装置の製造方法において、前記連続的処理による処理室内の温度変化に対応させて予備室内のウェハの温度を制御して、処理室内のウェハの温度を一定にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/302 N

Fターム (32件)：

5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004BC08 ,  5F004CA04 ,  5F004EA21 ,  5F004FA01 ,  5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA12 ,  5F031FA15 ,  5F031GA37 ,  5F031MA06 ,  5F031MA28 ,  5F031MA30 ,  5F031MA32 ,  5F031PA18 ,  5F045AF19 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DP21 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EK11 ,  5F045EK21 ,  5F045EK27 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04