特許
J-GLOBAL ID：200903048079650380
半導体装置,およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-026366
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226334
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 多層配線構造を有する装置構成において、低温で層間絶縁膜を平坦化させて、装置の集積度の向上を図り、かつこれを生産性よく得る。【構成】 層間絶縁膜として、リンを含むシリコン酸化膜8,シリコン窒化膜9,シリコン酸化膜10を順次に形成させ、表面側のシリコン酸化膜をシリコン窒化膜の一部表面が露出されるまで化学的・機械的研磨により表面平坦化し、かつ配線層を表面側の残されたシリコン酸化膜上と露出されたシリコン窒化膜上とに接して構成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に、ソース・ドレイン領域となる第2導電型の各不純物拡散層,ゲート酸化膜,および該当部分でのゲート電極となる多結晶シリコン膜によって構成されるMOSFETを有し、当該MOSFETでの少なくとも各不純物拡散層が、第1の層間絶縁膜の各第1の接続口に埋め込まれた第1の導電層を介してそれぞれ第1の配線層に接続され、かつ対応する各第1の配線層が、第2の層間絶縁膜の各第2の接続口に埋め込まれた第2の導電層を介してそれぞれ第2の配線層に接続される半導体集積回路装置の構成において、前記第1,第2の各層間絶縁膜として、順次に形成される第1,第2の各導電型の不純物の少なくとも一方を含むシリコン酸化膜,シリコン窒化膜,およびシリコン酸化膜からなり、かつ当該表面側のシリコン酸化膜をシリコン窒化膜の一部表面が露出されるまで化学的・機械的研磨により表面平坦化して構成させると共に、前記第1,第2の各配線層が、前記表面側の残されているシリコン酸化膜上,および露出されているシリコン窒化膜上に接して形成させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/90
