特許
J-GLOBAL ID：200903048081317354
半導体装置電極パッドの試験方法とその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-286506
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140480
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 電極パッドを持つ半導体の電極パッド試験方法に関し、電極パッドとプローブ間の位置決めを容易化して生産性向上を図ることを目的とする。【構成】 電極パッドを持つ半導体の試験方法であって、圧痕付着容易な被膜36a を持つダミー半導体36を搭載台35に搭載した後二次元方向に座標検知手段を具えて移動可能で且つプローブ34とカメラ33が装着されている測定ヘッド31の該プローブ34をダミー36上に降下させて圧痕を付着せしめ、圧痕からプローブの位置ずれデータを取得すると共に、ダミー36の位置決めマーク13a をカメラ33で観察したときの座標からダミー36としての位置ずれデータを取得し、プローブ34とダミー36の位置ずれデータを一致させたデータに基づいて測定ヘッド31の移動とプローブ34の回転とを行わしめ、搭載台上のダミー36を披検半導体と交換し制御部に繋がる上記プローブ34を半導体と対応する位置で降下させて構成する。
請求項（抜粋）：
基板面に形成されたデバイスパターンの周囲に該デバイスパターンに繋がる複数の電極パッドがマトリックス状に整列して形成されている半導体装置の該電極パッドを試験する半導体装置電極パッドの試験方法であって、披検の半導体装置と等しい大きさで片面の位置決めマーク(13a) を除く全面が圧痕付着容易な被膜(36a) で覆われたダミー半導体装置(36)をその被膜形成面が上側を向くように所定の半導体装置搭載台(35)に位置決め搭載した後、該半導体装置搭載台(35)に対するX-Yの二次元方向に座標検知手段を具えて移動可能で且つそのX方向の所定間隔を隔てた位置に上記各電極パッドに対応するプローブピンが植設されたプローブ・ブロック(34)とカメラ(33)とが下側を向くように装着されている測定ヘッド(31)の該プローブ・ブロック(34)を上記ダミー半導体装置(36)と対応する位置で降下させて該ダミー半導体装置表面に上記プローブピンの圧痕を付着せしめ、該圧痕を上記カメラ(33)で観察したときに得られる圧痕付着位置座標から該プローブ・ブロック(34)の基準位置に対する位置ずれデータを取得すると共に、前記ダミー半導体装置(36)の位置決めマーク(13a) を上記カメラ(33)で観察したときに得られる位置決めマーク座標から該ダミー半導体装置(36)の基準位置に対する位置ずれデータを取得し、上記プローブ・ブロック(34)と該ダミー半導体装置(36)それぞれの位置ずれデータを演算・修正して一致せしめたときのデータに基づいて上記測定ヘッド(31)の移動とプローブ・ブロック(34)の微回転とを行わしめた後、半導体装置搭載台上のダミー半導体装置(36)を披検の半導体装置と交換し、しかる後に制御部に繋がる上記プローブ・ブロック(34)を該半導体装置と対応する位置でプローブピンと各電極パットが接触するまで降下させることを特徴とした半導体装置電極パッドの試験方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01R 31/26
, G01R 31/28
, H01L 21/60 321
