特許
J-GLOBAL ID：200903048092783527
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094667
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045618
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 チップの大型化を招くことなく薄肉化加工を施すことができる半導体装置の製造方法を提供することにある。【構成】 p- 単結晶シリコン基板(ウェハ)101上にn- エピタキシャル層102を形成し、n- エピタキシャル層102にアイソレーション高電位用アルミ配線121を有する集積回路部を形成する。さらに、n- エピタキシャル層102におけるスクライブライン領域に電気化学エッチング電位供給用アルミ配線128を形成するとともに、そのアルミ配線128とアルミ配線121とを電気化学エッチング電位供給用n+ 拡散層127を介して接続し、アルミ配線128を用いた電気化学エッチングによりシリコン基板(ウェハ)101の所定領域を除去してn- エピタキシャル層102によるダイアフラム部106を形成する。最後に、スクライブライン領域を裁断してチップ化し、集積化圧力センサを製造する。
請求項（抜粋）：
同一基板内に、薄肉部と、配線を有する集積回路部とを有する半導体装置を製造するための方法であって、第1導電型の単結晶半導体基板上に、第2導電型の半導体層を形成する第1工程と、前記半導体層に、配線を有する集積回路部を形成する第2工程と、前記半導体層におけるスクライブライン領域に配線を形成するとともに、その配線と前記集積回路部の配線とを電気的に接続する第3工程と、前記スクライブライン領域の配線を用いた電気化学エッチングにより前記単結晶半導体基板の所定領域を除去して前記半導体層による薄肉部を形成する第4工程と、スクライブライン領域を裁断してチップ化する第5工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
, H01L 21/3205
