透明導電膜積層基板の製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：三枝英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-061801
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343151
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】本発明は、高い導電率を備え、透明性に優れた導電膜が積層された基板の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、(1)インジウム-錫酸化物焼結体のターゲットを、DC電源又はDC+RF電源を用い、不活性ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガスの雰囲気中でスパッタリングして、基板上にITO膜を形成する工程、及び(2)インジウム-錫酸化物焼結体及びインジウム酸化物焼結体からなる群より選ばれた少なくとも1種のターゲットを、DC電源、RF電源又はDC+RF電源を用い、不活性ガス雰囲気中でスパッタリングして上記(1)で形成されたITO膜上にITO膜及び/又は酸化インジウム膜を形成する工程を含む透明導電膜積層基板の製造方法である。

請求項（抜粋）：

(1)インジウム-錫酸化物焼結体のターゲットを、DC電源又はDC+RF電源を用い、不活性ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガスの雰囲気中でスパッタリングして、ITO膜を形成する工程、及び(2)インジウム-錫酸化物焼結体及びインジウム酸化物焼結体からなる群より選ばれた少なくとも1種のターゲットを、DC電源、RF電源又はDC+RF電源を用い、不活性ガス雰囲気中でスパッタリングして上記(1)で形成されたITO膜上にITO膜及び/又は酸化インジウム膜を形成する工程を含む透明導電膜積層基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01B 13/00 503 , B32B 7/02 104 , B32B 9/00 , C23C 14/08 , C23C 14/34

FI (5件)：

H01B 13/00 503 B , B32B 7/02 104 , B32B 9/00 A , C23C 14/08 D , C23C 14/34 N

Fターム (28件)：

4F100AA33A , 4F100AA33B , 4F100AA33C , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100BA13 , 4F100EH66A , 4F100EH66B , 4F100EH66C , 4F100JG01 , 4F100JN01 , 4K029AA24 , 4K029BA10 , 4K029BA15 , 4K029BA45 , 4K029BA47 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BC09 , 4K029CA05 , 4K029DC09 , 4K029DC34 , 4K029DC35 , 4K029EA08 , 5G323BA02 , 5G323BB05

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